В России разработали устойчивые к космическим тяжелым частицам транзисторы
Отечественное предприятие «Ангстрем», по государственному заказу, исходившему от Роскосмоса, было разработано два типа транзисторов, которые проявляют стойкость к воздействию тяжелых заряженных частиц в космическом пространстве.
Испытания образцов второй генерации транзисторов проводились относительно изделий 2ПЕ207А9 и ПЕ206А9. Первый из указанных устройств обладает сопротивлением не более чем 50 миллиом и максимальными параметрами напряжения в 140 вольт при воздействии тяжелых частниц не менее в 60 мегаэлектронов на квадратный сантиметр. Второй же отличается параметрами сопротивления в 200 миллиом и максимальным напряжением в 200 вольт.
«Эти транзисторы должны заметить имеющиеся иностранные аналоги. Таким образом, мы получаем свои собственные возможности рыка и конкурентоспособность. В скором времени, мы также должны будем закончить разработку еще более совершенных изделий, которые будут стойкими к заряженным частницам третьего и четвертого уровней и смогут попросту вытеснить с международного рынка зарубежные аналоги, так как будут значительно превосходить их по качеству», - заявил руководитель отдела по разработка силовой электроники «Ангстрем» Татьяна Крицкая.
