Samsung начнет выпускать самую быструю память HBM2E
Продукты с памятью типа HBM2E еще не представлены, но SK Hynix и Samsung уже вовсю соревнуются в скоростях. Первая в том году пообещала выпустить память со скоростью передачи информации 460 Гбайт/с, вторая обещает начать выпуск памяти со скоростью передачи информации 538 Гбайт/с. Одновременно обновился стандарт JEDEC.
Самое интересное, что в терминологии JEDEC обозначение "HBM2E" так и не прижилось, хотя Samsung в своем пресс-релизе эту память относит к третьему поколению. Формально, стандарт признает только существование памяти типа HBM2, которая с момента утверждения этого обозначения серьезно эволюционировала. Например, в одном стеке могут располагаться в двенадцать ярусов микросхемы памяти объемом по 2 Гбайт, в совокупности это позволяет разместить в одном стеке до 24 Гбайт памяти. Если вокруг специализированного процессора разместить четыре стека, совокупный объем памяти достигнет 96 Гбайт. Высоту этого стека обновленный стандарт никак не регламентирует.
В текущем полугодии Samsung обещает наладить серийный выпуск микросхем памяти HBM2E с использованием техпроцесса 10-нм класса. Условное обозначение этой памяти - Flashbolt, это уже третье поколение HBM в производственной программе корейской компании. На начальном этапе будут производиться микросхемы, сформированные из восьми ярусов, совокупным объемом 16 Гбайт. Штатная скорость передачи данных в пересчете на один контакт соответствует стандартной - 3,2 Гбит/с, что в итоге дает 410 Гбайт/с при использовании 1024-разрядной шины.
Желая потешить самолюбие, Samsung отдельно упоминает в пресс-релизе, что ее память типа HBM2E способна передавать информацию со скоростью 538 Гбайт/с (4,2 Гбит/с на контакт). Это выше тех 460 Гбайт/с, которые в прошлом году обещала осилить SK Hynix. В любом случае, спецификациями подобные режимы не предусмотрены, а это значит, что эксплуатация на таких скоростях не гарантируется в ста процентах случаев.
