Новая технология MRAM избавит от заторов при интенсивной работе с данными
Инженеры-электротехники Северо-Западного университета (штат Иллинойс) и Университета Мессины (Италия) продемонстрировали созданное ими устройство быстродействующей памяти MRAM на базе антиферромагнитных материалов. Оно имеет самые маленькие размеры из устройств такого типа и использует рекордно малый ток для записи данных.
Педрам Халили (Pedram Khalili), доцент Инженерной школы Маккормика Северо-Западного университета, отметил, что существующее оборудование не может выдержать быстрый рост датацентричных вычислений. "Наша технология, в принципе, способна решить эту проблему", - заявил он.
Халили возглавлял это исследование вместе с Джованни Финоччио (Giovanni Finocchio), адъюнкт-профессором из Мессины. Его результаты опубликованы 10 февраля в журнале Nature Electronics.
В антиферромагнитной памяти данные хранятся без расходования электричества, кроме того, они устойчивы к воздействию внешних магнитных полей. Однако в предыдущих работах исследователи испытывали трудности с контролем магнитного порядка в этих материалах.
Команда Халили выбрала для своих экспериментов ранее не использовавшуюся геометрию - их устройство состояло из массива столбиков антиферромагнитного интерметаллида платины и марганца диаметром 800 нанометров (в десять раз меньше, чем в прежней антиферромагнитной MRAM).
Важным преимуществом такой конструкции является ее совместимость с производственными процессами индустрии полупроводников, что приближает быстродействующую и хорошо масштабируемую память MRAM к практическим приложениям.
"Мы продолжаем работать над уменьшением масштаба этих устройств и улучшением методов считывания их магнитного состояния, - сказал Халили. - Кроме того ищем более эффективные способы записи данных в антиферомагнитые материалы, такие как замена тока на напряжение - сложная задача, которая может повысить энергоэффективность еще на порядок или даже больше".
