В США научились оптимизировать техпроцессы производства чипов с помощью ИИ
Исследователи из Аргоннской национальной лаборатории связали искусственный интеллект с системой нанесения тонких пленок атомарной толщины на кремний в ходе изготовления микросхем. Такие пленки могут нести множество функциональных нагрузок: от изоляции элементов до придания транзисторам на кристалле особых характеристик. ИИ позволяет оптимизировать процесс нанесения пленок и экономит время и деньги.
Процесс нанесения тонкопленочных покрытий носит название атомно-слоевого осаждения (ALD). Чаще всего в процессе ALD попеременно используются два прекурсора, которые в виде газа закачиваются в химический реактор с кремниевой пластиной. Каждый из них через время необходимо откачать, и так много раз. Качество и свойства нанесенной таким образом пленки зависят от длительности каждого цикла. В процессе оптимизации исследователи должны множество раз извлечь образец и дать оценку покрытию.
Американские ученые смогли подключить к процессу ИИ с обратной связью с реактором. Алгоритм рассчитывает предполагаемый идеальный цикл нанесения атомарной пленки и почти сразу получает данные о проведенной химической реакции. Больше нет нужды извлекать образец, проводить измерения и помещать его для дальнейшей обработки. Автоматика тут же корректирует параметры установки для улучшения результата наращивания пленки. Благодаря ИИ процесс идет намного быстрее.
Внедрение подобных систем на производстве позволит производителям чипов значительно ускорить разработку новых техпроцессов и даже улучшить существующие. Сегодня, когда традиционный КМОП-процесс подошел к своему пределу - это более чем актуально.
