В Новосибирске изобрели самую быструю флешку в мире
Физики из Новосибирска закончили разработку самого быстрого из известных носителей флеш-памяти. Они использовали для этого мультиграфен, с помощью которого можно добиться наиболее высоких показателей быстродействия и превзойти аналоги из других материалов в три - четыре раза.
Принцип действия изобретенной отечественными физиками заключается в процессе так называемой инъекции (впрыскивания) и хранения электрического заряда в памятной среде мультиграфена. Помимо этого, туннельный и блокирующий слои являются необходимыми компонентами, без которых не происходит быстродействия. Первый из них изготавливается из оксида кремния, а второй - из высокопроводного цинка. Эффективность флеш-памяти, как объясняет сами ученые, целиком зависит от энергообеспечения, которое тратится на удаление электрона из вещества.
Мультиграфен, при этом, отличается крайне высокой работой по выходу электронов. «Зажатый» между блокирующей и тунельной средой, данный материал, по словам физиков, представляет собой нечто вроде «глубокой ямы», куда залетают после чего долгое время там хранятся.
«Так как для флеш-памяти, которая основывается на мультиграфене, требуется тончайший туннельный слой, то быстродействие можно повысить более чем в три дня. Ко всему прочему, у нас получилось использовать максимально низкое напряжение перепрограммирования, потому большая работа, позволит сохранить заряд», - заявил один из разработчиков устройства.
