Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов
Компания Samsung начала массовое серийное производство микросхем флеш-памяти нового поколения eUFS 3.0. По сравнению с предыдущим поколением (eUFS 2.1) новая памяти примерно в два раза быстрее. Скорость чтения может составлять 2100 МБ/с, а записи - 410 МБ/с. В официальном пресс-релизе для дополнительного подчеркивания высокой производительности указывается, что по скорости...
подробнее ›