Новая технология MRAM избавит от заторов при интенсивной работе с данными
Инженеры-электротехники Северо-Западного университета (штат Иллинойс) и Университета Мессины (Италия) продемонстрировали созданное ими устройство быстродействующей памяти MRAM на базе антиферромагнитных материалов. Оно имеет самые маленькие размеры из устройств такого типа и использует рекордно малый ток для записи данных. Педрам Халили (Pedram Khalili), доцент Инженерной...
подробнее ›