В Корее придумали "бумажную" флешку
Ученые из Корейского института передовых технологий разработали новую технологию создания гибкой флеш-памяти. В качестве подложки для такой памяти могут использоваться гибкие полимеры или бумага. Об этом пишет N+1 со ссылкой на Nature Communications.
Созданная исследователями память, как и обычная флеш-память, состоит из транзисторов, в которых помимо управляющего затвора есть плавающий затвор. Именно он и отвечает за хранение информации: при отсутствии заряда на нем транзистор проводит ток, а при наличии - нет.
В предложенной исследователями схеме сток и исток состоят из алюминия и кальция, канал из фуллеренов C60, а оба затвора (управляющий и плавающий) из алюминия. В качестве материалов диэлектриков между затворами и каналом исследователи выбрали два полимера, благодаря которым транзистору требуется относительно небольшое напряжение для записи (около десяти вольт), и, по расчетам, он может сохранять значение информации в течении долгого времени - около десяти лет.
Для создания такой структуры ученые предложили использовать химическое осаждение из газовой фазы. За счет этого они смогли создать такую флеш-память на разных подложках: полиэтилентерефталате и даже специальной бумаге, используемой для сублимационной печати. Исследователи провели механические испытания прототипов памяти, созданных на полимерной подложке, и выяснили, что она сохраняет способность хранить и изменять информацию при изгибе вокруг окружности радиусом 4,5 мм, что эквивалентно растяжению на 2,8 %, а также после десяти тысяч изгибов, эквивалентных растяжению на 1,1 %.
