Корейцы сделали гибкое запоминающее устройство на графене
Новый вид памяти получил название двухтерминального туннельного запоминающего устройства с произвольным доступом (TRAM). В основе TRAM лежит двухмерный атомарный слой кристаллов: полупроводника дисульфида молибдена (MoS2) с двумя электродами (источник и канал) и изолятора из гексагонального нитрида бора (h-BN) и графена. Хранение данных обеспечивается за счет удержания...
подробнее ›
















