Инженеры анонсировали 12-нм технологию изготовления мощных чипов с низкой задержкой
Компания GlobalFoundries анонсировала чипы высокой плотности с объемной компоновкой, созданные на архитектуре ARM по 12-нанометровому техпроцессу. Инженеры уверяют, что построенные по этой технологии решения обеспечивают более высокую производительность и низкую задержку, а также увеличивает пропускную способность мобильных SoC.
При создании процессоров нового поколения применяется разработка ARM Mesh Interconnect, позволяющая соединить ядра наименьшими связующими, что приводит к росту скорости передачи данных и снижению задержек. С помощью новой методологии 3D Design-for-Test (DFT) с использованием гибридного сцепления пластин специалистам удалось разместить почти 1 миллион соединений на 1 квадратном миллиметре.
GlobalFoundries обещает, что чипы значительно энергоэффективнее ныне представленных ARM-решений. В ходе изготовления используется технология FinFET GF 12LP, отвечающая 12-нанометровым стандартам.
"Технология 3D-межсоединений от компании ARM позволяет полупроводниковой промышленности дополнить закон Мура для решения более разнообразных компьютерных задач", - сказал Эрик Хенненненхофер, вице-президент ARM Research.
