Исследователи разработали новую структуру OLED
Исследователи из Технического университета Дрездена (TUD) разработали новую структуру OLED, в которую добавлены вертикальные органические транзисторы с проницаемой базой (OPBT). Новая структура получила название "светоизлучающий транзистор с органической проницаемой базой" или OPB-LET.
В новой конструкции удачно сочетаются функции высокоэффективного переключающего элемента и органического излучателя. OLED-транзисторы (OLET) - это трехполюсные приборы, в которых тонкопленочный транзистор объединен со светодиодом. В отличие от предыдущих OLET, OPB-LET предлагает высокую производительность благодаря проницаемому базовому электроду, расположенному в центре устройства. Электрод формирует характерную оптическую микрополость, управляющую инжекцией и транспортировкой носителей заряда.
Исследователи сообщают, что структура обеспечивает высокий КПД (до 24,6% EQE), высокую яркость (до 12 513 кд/м2) и низкое управляющее напряжение (менее 5,0 В). Это сопоставимо с параметрами современных приборов OLED, но в OPB-LET уже встроены низковольтные управляющие транзисторы.
