Новости и события » Hi-Tech » Представлена оперативная память HP V10 RGB на микросхемах Samsung B-die

Представлена оперативная память HP V10 RGB на микросхемах Samsung B-die

Представлена оперативная память HP V10 RGB на микросхемах Samsung B-die

HP Storage официально представила оперативную память HP V10 RGB. Память построена с использованием микросхем Samsung B-die.

ОЗУ доступна в трех вариантах частот - 3200 МГц, 3600 МГц и 4000 МГц). Частота может достигать 4000 МГц с таймингами 18-19-19-39 или на 3200 МГц можно достичь самой низкой синхронизации 14-14-14-34. Поддерживается разгон с использованием профилей XMP 2.0.

HP V10 поставляется наборами по два или четыре модуля объемом 8 ГБ или 16 ГБ (16 ГБ / 32 ГБ / 64 ГБ). По сравнению с одноканальной памятью 16 ГБ скорость чтения и записи данных которой составляет всего 24690 МБ/с, 22524 МБ/с, задержка 48,4 нс; в двухканальной памяти HP V10 скорости чтения и записи достигают 46306 МБ/с, 46725 МБ/с, задержка 48,3 нс соответственно.

HP V10 поддерживает программное обеспечение вендоров hardware: ASUS Aura, Gigabyte RGB Fusion, MSI Mystic Light и ASRock Polychrome Sync для синхронизации с системным освещением.

На все продукты памяти HP предоставляется 5-летняя ограниченная гарантия.

Добавить комментарий Отменить ответ

Представлена оперативная память HP V10 RGB на микросхемах Samsung B-die

Представлена оперативная память HP V10 RGB на микросхемах Samsung B-die

Samsung Лето


Сучасні та економічні методи зведення будівель

Сучасні та економічні методи зведення будівель

У сучасному будівництві швидкість, економічність та універсальність є ключовими факторами при виборі технологій і матеріалів. Швидкомонтовані сталеві будівлі повністю відповідають цим вимогам, завдяки чому вони набувають великої популярності у різних сферах...

сегодня 10:39

Свежие новости Украины на сегодня и последние события в мире экономики и политики, культуры и спорта, технологий, здоровья, происшествий, авто и мото

Вверх