Новосибирские физики разработали флешку из мультиграфена
Ученые из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН изучают возможность создания флеш-памяти с использованием мультиграфена: по быстродействию и времени хранения информации он может превосходить аналоги, основанные на других материалах. Правда, отмечают ученые, говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано.
В ИФП СО РАН рассматривалась возможность применения мультиграфена (несколько слоев графена) во флеш-памяти. Принцип ее действия основан на инжекции и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в качестве которой выступает мультиграфен.
Помимо этого, необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои, сообщает журнал «Наука в Сибири». Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
Эффективность флеш-памяти зависит от величины работы выхода запоминающей среды - энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. У используемого мультиграфена работа выхода для электронов составляет около 5 эВ. Из-за этого на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера увеличена и составляет примерно 4 эВ. Именно этот эффект был взят за основу исследования.
Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой. В памяти, основанной на хранении заряда в кремниевых кластерах, применяются более толстые туннельный и блокирующий слои, снижающие эффективность работы памяти.
«Конечно, опытные образцы существуют, и с ними интенсивно работают, но для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов», - отмечают ученые.
