В России изобрели самую тонкую в мире микросхему
Российские ученые из НИТУ "МИСиС" изобрели самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами. Об этом пишут "Известия".
Группа исследователей во главе с профессором Дмитрием Гольбергом работала совместно с коллегами из Национального института материаловедения (Япония), Пекинского транспортного университета (КНР) и Технологического университета Квинсленда (Австралия).
Они успешно провели эксперимент по контролируемому созданию материала на основе частично окисленного оксида бора.
Главный научный сотрудник Института биохимической физики РАН Леонид Чернозатонский подтвердил "Известиям", что открытие российских ученых имеет общемировое значение. Однако, по его словам, до промышленных образцов электроники еще далеко.
"Получен новый полупроводниковый материал на основе нитрида бора. У него можно контролируемым способом менять ширину запрещенной зоны путем изменения концентрации кислорода", - сказал Леонид Чернозатонский.
Предложенный метод позволяет быстро и просто - а значит, дешево - получить материал с контролируемой запрещенной зоной.
Ученые с помощью суперкомпьютерного кластера Cherry, находящегося в НИТУ "МИСиС", выстроили теоретическую модель нового материала. Далее в ходе эксперимента удалось создать опытный образец, который полностью соответствовал модели.
Как известно, полупроводники являются основой современной электроники. За миниатюризацию борются все лидеры этой отрасли. Открытие позволит, например, создать не микропроцессор, а нанопроцессор - в тысячи раз меньше существующих.
"Прикладное значение таких материалов разнообразно - от электроники и сенсоров до биосовместимых структур, - заявил Доцент Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИАлексей Грехов. - В электронике перспективы таких элементов очевидны: уменьшается энергоемкость, повышается быстродействие и компактность. Однако до практического применения данных материалов еще далеко".
