Российские ученые открыли «эффект памяти» в одноэлектронных транзисторах
Группа ученых из РФ и США смогла совместными усилиями открыть «эффект памяти» в одноэлектронных транзисторах. О своих достижениях они поделились на страницах одного из научных изданий.
Сделать новое открытие ученым удалось в ходе умозрительных испытаний электросвойств транзисторов, в фундаменте концепции которого кроется вероятность обретения преобразования вольтажа при работе с раздельно взятыми электронами.
После проведенных тестов сделанные вычисления показали, что конденсаторы, образованные из электродов и входящие в состав одноэлектронных транзисторов, могут иметь «эффект памяти».
По завершению своего доклада специалисты предположили, что сделанное ими открытие поможет стать основой для практического применения ряда механизмов с возможностью накопления памяти, созданных на основе вышеуказанных транзиторов.
