Toshiba представила первую память UFS 3.0 для смартфонов и VR-гарнитур
Toshiba представила первую в мире флеш-память с интерфейсом UFS 3.0. С шиной UFS 3.0 компания выпустила или готовится выпускать три однокорпусных продукта емкостью 128, 256 и 512 ГБ.
Все чипы набраны из кристаллов 96-слойной памяти 3D NAND (BiCS FLASH). В Toshiba ожидают, что новинки с шиной UFS 3.0 найдут применение в массе мобильных устройств, включая смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной и дополненной реальности.
Теоретическая пропускная способность по одной линии для шины UFS 3.0 составляет 11,6 Гбит/с, что для двух стандартных линий интерфейса достигает общей пропускной способности 23,2 Гбит/с. Тем самым, если сравнивать с шиной UFS 2.0, устоявшиеся скорости чтения и записи выросли соответственно на 70 % и 80 %.
Размеры корпуса памяти Toshiab с шиной UFS 3.0 составляют 11,5? 13 мм. Контроллер встроен в чип памяти и поддерживает все необходимые для работы NAND-флеш протоколы, включая коррекцию ошибок, выравнивание массивов данных, перевод логической адресации в физическую (к ячейкам), сокрытие битых ячеек.
