Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов
Компания Samsung начала массовое серийное производство микросхем флеш-памяти нового поколения eUFS 3.0.
По сравнению с предыдущим поколением (eUFS 2.1) новая памяти примерно в два раза быстрее. Скорость чтения может составлять 2100 МБ/с, а записи - 410 МБ/с.
В официальном пресс-релизе для дополнительного подчеркивания высокой производительности указывается, что по скорости чтения флеш-памяти eUFS 3.0 в 4 раза превосходит скорость SSD-дисков с интерфейсом SATA и оказывается в 20 раз быстрее по сравнению с картами памяти microSD.
| Read Speed | Write Speed | Read Speed | Write Speed | |
| 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) | 2100MB/s | 410MB/s | 63,000 IOPS | 68,000 IOPS |
| 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| eUFS 2.1 for automotive (Sep. 2017) | 850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| 256GB UFS Card (Jul. 2016) | 530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) | 350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
Выпуск таких микросхем позволит компании получить хорошее преимущество на рынке компонентов для продвинутых смартфонов и других мобильных устройств нового поколения.
Чипы Samsung 512GB eUFS 3.0 «спрессованы» из 8 слоев 512-гигабитной памяти V-NAND и дополнены высокопроизводительным контроллером.
На данный момент микросхемы eUFS 3.0 выпускаются в вариантах с объемом 512 ГБ и 128 ГБ. Примерно ко второй половине 2019 года запланирован выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 объемом 1 ТБ и 256 ГБ.
К слову, память eUFS объемом 1 ТБ Samsung уже выпускает. Правда, такие микросхемы относятся к поколению eUFS 2.1. Об этом мы сообщали в январе 2019 года.
