Новости и события » Hi-Tech » Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов

Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов

Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов

Компания Samsung начала массовое серийное производство микросхем флеш-памяти нового поколения eUFS 3.0.

По сравнению с предыдущим поколением (eUFS 2.1) новая памяти примерно в два раза быстрее. Скорость чтения может составлять 2100 МБ/с, а записи - 410 МБ/с.

В официальном пресс-релизе для дополнительного подчеркивания высокой производительности указывается, что по скорости чтения флеш-памяти eUFS 3.0 в 4 раза превосходит скорость SSD-дисков с интерфейсом SATA и оказывается в 20 раз быстрее по сравнению с картами памяти microSD.

  Read Speed Write Speed Read Speed Write Speed
512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) 2100MB/s 410MB/s 63,000 IOPS 68,000 IOPS
1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) 1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) 860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 for automotive (Sep. 2017) 850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
256GB UFS Card (Jul. 2016) 530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) 850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) 350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s 90MB/s 7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s 50MB/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS

Выпуск таких микросхем позволит компании получить хорошее преимущество на рынке компонентов для продвинутых смартфонов и других мобильных устройств нового поколения.

Чипы Samsung 512GB eUFS 3.0 «спрессованы» из 8 слоев 512-гигабитной памяти V-NAND и дополнены высокопроизводительным контроллером.

На данный момент микросхемы eUFS 3.0 выпускаются в вариантах с объемом 512 ГБ и 128 ГБ. Примерно ко второй половине 2019 года запланирован выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 объемом 1 ТБ и 256 ГБ.

К слову, память eUFS объемом 1 ТБ Samsung уже выпускает. Правда, такие микросхемы относятся к поколению eUFS 2.1. Об этом мы сообщали в январе 2019 года.

Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов

Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов

Samsung начала серийный выпуск микросхем памяти eUFS 3.0 для смартфонов

Samsung


Свежие новости Украины на сегодня и последние события в мире экономики и политики, культуры и спорта, технологий, здоровья, происшествий, авто и мото

Вверх