Samsung увеличила скорость работы накопителей в смартфонах
Samsung Electronics объявила о начале массового производства первого в отрасли встраиваемого накопителя Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 емкостью 512 ГБ для мобильных устройств нового поколения. В соответствии с требованиями спецификаций eUFS 3.0, представленное решение обеспечивает вдвое более высокую скорость работы в сравнении с предыдущими поколениями.
В накопителе Samsung eUFS 3.0 емкостью 512ГБ используется восемь 512-гигабитных кристаллов памяти Samsung V-NAND пятого поколения и высокопроизводительный контроллер. Скорость последовательного чтения нового устройства составляет 2100 мегабайт в секунду, что вдвое превышает аналогичный показатель в новейшей uEFS памяти (eUFS 2.1), которая была анонсирована в январе. Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше, чем в текущей спецификации eUFS 2.1, и составляет, соответственно, 63 000 и 68 000 операций ввода/вывода в секунду (IOPS).
После старта производства накопителей eUFS 3.0 емкостью 51 2ГБ и версии емкостью 128 ГБ, которые будут запущены уже в этом месяце, Samsung намерена начать производство моделей емкостью 1 ТБ и 256 ГБ во второй половине этого года, чтобы помочь глобальным производителям устройств реализовывать мобильные инновации будущего.
