Рывок SK Hynix: начато массовое производство первой в мире 128-слойной 1-Тбит 3D NAND
Компания SK Hynix пошла на рывок. До сих пор она отставала от конкурентов в плане выпуска самой технологической многослойной памяти 3D NAND. Но с сегодняшнего дня ситуация меняется. Как сообщается в пресс-релизе компании, специалисты SK Hynix завершили разработку и приступили к массовому производству самой плотной в индустрии 128-слойной 1-Тбит 3D NAND TLC (с записью трех бит в каждую ячейку). До сих пор емкость в 1 Тбит была заявлена в виде 96-слойных чипов 3D NAND с записью четырех бит в ячейку (QLC). Например, такие чипы готовится выпускать Toshiba и ее партнер компания WDC. Очевидным образом память 3D NAND QLC уступает по устойчивости к износу памяти TLC, что делает новый 128-слойный 3D NAND-продукт SK Hynix чрезвычайно привлекательным.
По словам SK Hynix, переход на выпуск 128-слойной 1-Тбит памяти 3D NAND TLC увеличивает прибыльность производства 3D NAND на 40 % по сравнению с выпуском 96-слойной памяти и на 60 % улучшает инвестиционную эффективность производства. Чип со 128 слоями изготавливается с помощью установки поверх 96-слойного чипа кристалла с 32 слоями (на самом деле, чуть больше, поскольку часть пограничных слоев фактически идут в брак). Добавим, сам по себе 96-слойный чип также создается путем сборки в стек их двух 48(+)-слойных кристаллов 3D NAND. Подобный подход в разы ускоряет производство многослойной памяти, поскольку в ином случае потребовалось бы очень много времени и циклов на "вертикальное бурение" кристалла и сопутствующую обработку ста с чем-то слоев. Оказалось дешевле состыковать, чем изготовить в монолитном решении.
Память 3D NAND TLC производится и продается в объеме 85 % от всей многослойной памяти на рынке. Это самый массовый продукт, флагманом которой может стать передовая флеш-память SK Hynix, каждый чип из которой содержит 360 млрд 3-битовых ячеек. К слову, в компании называют ее памятью 4D NAND. Но это условное название, поскольку это обычная 3D NAND с периферийными и управляющими цепями, которые перенесены под массив ячеек, а не расположены рядом с ним на кристалле.
К другим нововведениям в дизайн 3D NAND компании следует добавить разбивку массива ячеек на четыре автономные области вместо традиционных двух, что значительно ускорит обмен данными с чипами: до 1400 Мбит/с с питанием 1,2 В. Подобное новшество будет положительно воспринято как в среде производителей мобильных SSD, так и в среде накопителей корпоративного класса. С использованием новой памяти в SK Hynix в следующем году рассчитывают создать для флагманских смартфонов однокорпусные 1-Тбайт накопители UFS 3.1 толщиной до 1 мм и со сниженным до 20 % потреблением. Использование обычной 512-Гбит 3D NAND не позволит создать столь тонкие накопители, в чем SK Hynix надеется преуспеть.
Согласно планам, SK Hynix начнет коммерческие поставки фирменных 2-Тбайт клиентских SSD на 128-слойной памяти в первой половине следующего года. Накопители для ЦОД и облачных сервисов объемом 16 Тбайт и 32 Тбайт с поддержкой PCI Express и NVMe будут также представлены в течение следующего года. В SSD-продукции клиентов 128-слойная память может появиться раньше, поскольку поставки новейших микросхем флеш-памяти компания начнет во второй половине текущего года. Также в компании сообщили, что приступили к разработке 176-слойной 3D NAND.
