Samsung нашла способ создавать микросхемы памяти HBM2 объемом 24 Гбайт
О важности трехмерных пространственных компоновок в наши дни говорят все разработчики и производители полупроводниковых изделий - от Intel и AMD до TSMC. Чтобы поддержать действие эмпирического правила, именуемого "законом Мура", микропроцессоры и микросхемы должны "расти вверх", поскольку возможности увеличения плотности размещения транзисторов в планарном измерении себя уже исчерпывают. Память типа HBM изначально использовала возможности вертикальной компоновки, а на этой неделе компания Samsung Electronics объявила о новом прорыве в изготовлении подобных микросхем.
Южнокорейский гигант отчитался о завершении разработки технологии создания 12-слойных микросхем, что является существенным прогрессом по сравнению с существующими 8-слойными микросхемами памяти типа HBM2. Сейчас предельный объем одной выпускаемой серийно восьмислойной микросхемы составляет 8 Гбайт. После удвоения емкости каждого слоя и перехода на 12-слойную компоновку предельный объем микросхемы можно будет увеличить до 24 Гбайт. Важно, что высота микросхемы памяти при этом останется прежней - 720 мкм или 0,72 мм.
Расстояние между слоями уменьшится, что позволит не только улучшить показатели энергопотребления, но и поднять скорости передачи информации. Каждый слой микросхемы имеет 60 тысяч микроскопических отверстий для межслойных соединений, диаметр отверстия не превышает одной двадцатой толщины человеческого волоса. После первых попыток применить память HBM2 в потребительских видеокартах среднего ценового диапазона, соответствующим микросхемам суждено будет укорениться в сегменте ускорения вычислений и искусственного интеллекта, поскольку здесь использование быстрой, но дорогой памяти себя оправдывает экономически.
