SK Hynix подготовилась к производству памяти типа DDR4 по третьему поколению 10-нм техпроцесса
Даже в условиях низких цен на память производители не перестают осваивать новые техпроцессы, поскольку они позволяют им сократить собственные издержки. В августе Micron сообщила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса - так называемого "1z нм". У Samsung подобная память выпускается только в 8-гигабитных микросхемах. На этой неделе в преодолении соответствующего рубежа призналась и компания SK Hynix.
Южнокорейский производитель в пресс-релизе сообщает, что завершил разработку технологии класса 1z нм для выпуска микросхем памяти DDR4 объемом 16 Гбит. Плотность размещения памяти на одной кремниевой пластине по сравнению с предыдущим поколением техпроцесса выросла на 27 %, и это положительно скажется на себестоимости такой памяти. SK Hynix подчеркивает, что для выпуска памяти по техпроцессу 1z нм не требуется литография со сверхжестким ультрафиолетовым излучением (EUV). Противником скорого внедрения EUV при производстве памяти является и компания Micron, хотя она и не исключает, что на определенном этапе возьмет эту технологию на вооружение.
SK Hynix свою новую память готова поставлять со следующего года в ассортименте до DDR4-3200 включительно. Как и в случае с продукцией Micron, обновление техпроцесса позволило снизить энергопотребление на 40 % по сравнению с 8-гигабитной микросхемой DDR4 предыдущего поколения. Корейскому производителю удалось применить при производстве микросхем памяти некое новое вещество, улучшающее емкостные характеристики памяти. Кроме того, были внедрены некоторые изменения, повышающие стабильность работы памяти.
Со временем на новую ступень литографии перейдут и микросхемы памяти LPDDR5 и HBM2E, которую SK Hynix в своем пресс-релизе почему-то предпочитает обозначать как "HBM3". По словам корейского производителя, LPDDR5 станет новым поколением памяти для применения в мобильных устройствах.
