SK Hynix в третьем квартале провалила все что можно
Южнокорейская компания SK Hynix опубликовала информацию о работе в третьем квартале 2019 календарного года, который закончился для нее 30 сентября. Квартальная выручка этого производителя памяти DRAM и NAND показала годовое снижение на 40 %, снижение чистой прибыли составило 89 %, падение квартальной операционной прибыли достигло 93 %, сокращение рентабельности в процентных пунктах произошло на 50 %. Возможно, все могло оказаться хуже, но пока? вот так. В третьем квартале возник определенный спрос на память, но он, а также снижение затрат на производство не смог компенсировать падение цен на DRAM и NAND.
В деньгах квартальная выручка SK Hynix за отчетный период составила 6,84 трлн вон ($5,8 млрд). Чистая прибыль компании за квартал равнялась 495 млрд вон ($422 млн), а квартальная операционная прибыль достигла 473 млрд вон ($403 млн). В поквартальном сравнении выручка SK Hynix выросла на 6 % по отношению ко второму кварталу, что, в действительности, отражает возвращение спроса на память, но операционная прибыль в таком же сравнении оказалась на 26 % меньше, а это низкие рыночные цены на память, которые не могут компенсировать производственные затраты производителя.
В последовательном поквартальном сравнении поставки DRAM в пересчете на емкость (биты) выросла на 23 %? сказывается рост спроса во всех нишах от производства смартфонов до ЦОД. При этом снижение средней цены продажи замедлилось и составило 16 % за квартал. Поставки NAND в отчетном квартале, что интересно, несмотря на растущий спрос снизились на 1 %. Это в компании объясняют тем, что во втором квартале было отгружено больше памяти, чем планировалось ранее. Оба этих маневра привели к росту средней цены продажи NAND на 4 %. Во втором квартале, напомним, аварийно останавливался завод Toshiba, и SK Hynix воспользовалась этим в своих корыстных целях.
Чтобы вернуть цены на память в приемлемое для производителя русло, компания SK Hynix намерена как сократить объем инвестиций в производство памяти в следующем году, так и перевести часть линий на выпуск датчиков изображений. Так, линии по выпуску 2D NAND на заводе M10 компании в Корее будут выпускать датчики типа CIS. Но внедрению инноваций это не помешает. К концу года компания собирается довести выпуск DRAM по техпроцессу 1Ynm до 10 % и подготовиться для выпуска в следующем году памяти по техпроцессу 1Znm. В дополнение к этому SK Hynix собирается активнее выпускать передовые типы памяти в виде LPDDR5 и HBM2E.
Что касается памяти NAND, то к концу года компания увеличит долю 96-слойной 3D NAND в объеме продукции до более чем 5 % и подготовится к массовому выпуску 128-слойной 3D NAND. Значительная часть микросхем NAND идет на собственные нужды компании. Так, выручка от продаж фирменных SSD приносит SK Hynix около 30 % продаж в сфере поставок флеш-памяти.
