Samsung инвестирует в китайский завод еще 8 миллиардов долларов
Стремясь увеличить выпуск чипов флеш-памяти NAND, компания Samsung Electronics намерена инвестировать в завод по производству микросхем в Китае дополнительные 8 млрд долл. Южнокорейская компания проводит инвестиции в период, когда ожидается восстановление рынка памяти вследствие ограниченного предложения и растущего спроса на устройства и сетевые технологии пятого поколения. Samsung является крупнейшим в мире производителем микросхем флеш-памяти NAND, которая находит применение в мобильных устройствах, картах памяти, накопителях с интерфейсом USB и твердотельных накопителях.
В 2017 году Samsung объявила о намерении вложить в ближайшие три года 7 млрд долл. в завод по производству микросхем флеш-памяти в китайском городе Сиань. Эта сумма должна была стать дополнением к капиталовложениям в размере 10,8 млрд долл., которые Samsung направила на строительство в Сиане предприятий по упаковке и тестированию. К конкурентам Samsung на рынке флеш-памяти относятся южнокорейская компания SK Hynix, американская Micron Technology и Toshiba.
Ряд китайских компаний также предпринимал попытки выйти на рынок флеш-памяти, но все они оказались недостаточно успешными для того, чтобы составить конкуренцию зарубежным предприятиям. Осенью текущего года компания Yangtze Memory Technologies Company анонсировала начало массового производства 64-слойных чипов 3D NAND, которые должны стать ориентиром для ведущих производителей отрасли.
