Армия США получила первую мобильную РЛС на полупроводниках из нитрида галлия
Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещенной зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях "на ровном месте" дает прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались военные.
Компания Lockheed Martin сообщила, что в войска США поставлены первые мобильные радиолокационные установки (РЛС) на основе электроники с элементами из нитрида галлия. Ничего нового в компании придумывать не стали. На элементную базу GaN были переведены принятые с 2010 года на вооружение контрбатарейные РЛС AN/TPQ-53. Это первый и пока единственный в мире радар на широкозонных полупроводниках.
За счет перехода на активные GaN-компоненты РЛС AN/TPQ-53 повысила дальность обнаружения закрытых артиллерийских позиций и получила возможность одновременного слежения за воздушными целями. В частности, РЛС AN/TPQ-53 начала применяться против беспилотников, включая малые аппараты. Идентификация закрытых артиллерийских позиций может вестись как в секторе 90 градусов, так и с круговым 360-градусным обзором.
Компания Lockheed Martin является единственным поставщиком радаров с активной ФАР (фазированной антенной решеткой) в войска США. Переход на GaN элементную базу позволяет ей рассчитывать на дальнейшее многолетнее лидерство в области совершенствования и производства радарных установок.
