В Китае появится свой фоточувствительный материал для 7-нм техпроцесса
Китай продолжает двигаться по пути снижения зависимости от импортного сырья и комплектующих в области производства полупроводников. Новым шагом на этом пути стала разработка отечественного фоторезиста? материала, без которого невозможно перенести рисунок электронной схемы на кремниевый кристалл. Новый материал настолько хорош, что может быть использован для техпроцесса с нормами 7 нм.
О завершении НИОКР по созданию высокочувствительного фоторезиста сообщила компания Nata Opto из Цзянсу. Созданный в лабораториях компании новый фоточувствительный материал поможет в переходе на отечественные материалы в случае производства с технологическими нормами от 28 до 7 нм. До этого в Китае выпускался фоторезист, который годился только для выпуска чипов с нормами 436 и 365 нм.
Для более совершенных техпроцессов китайские производители, например, компании SMIC и YMTC, покупают фоторезист у японских и американских компаний. Пяти производителям из США и Японии принадлежит 85 % мирового рынка фоторезиста, а материал для EUV-литографии выпускается исключительно японцами, отчего пострадали даже южнокорейские производители.
Впрочем, для китайских компаний фоторезист для EUV-литографии понадобится очень нескоро. Во всяком случае, в товарных количествах. Зато фоторезист для выпуска чипов в диапазоне от 28 до 7 нм может заменить импортный, хотя произойдет это примерно через три года. В настоящий момент разработчик начинает поставки фоторезиста клиентам для испытаний. Если все будет хорошо, то через три года Nata Opto собирается выпускать в год до 25 тонн фоторезиста для 193-нм эксимерных лазеров ArF как для сухой проекции, так и для иммерсионной с погружением пластин в жидкость.
