TSMC поставила на 2-нм технологию: отказ от FinFET и производство в 2023 или 2024 году
В прошлом году тайваньская компания TSMC начала массивные инвестиции в разработку 2-нм техпроцесса. На тот момент не было никакой ясности в вопросах перехода на 2-нм технологические нормы, но к сегодняшнему дню многое прояснилось. По слухам, компания раскроет официальные планы по освоению 2-нм норм на ближайшей конференции, а пока познакомимся с предварительной информацией.
Как утверждают тайваньские источники, при переходе на 2-нм техпроцесс компания TSMC поменяет структуру транзистора. Вместо вертикальных ребер-плавников FinFET, которые она по меркантильным соображениям решила сохранить для 3-нм техпроцесса, 2-нм транзисторы получат всеохватывающий или кольцевой затвор (GAA), который будет опоясывать канал со всех сторон. В случае FinFET, напомним, затвор охватывал транзисторный канал лишь с трех сторон, поэтому кольцевой затвор GAA должен улучшить токовые характеристики мельчающих транзисторов.
Рисковое производство чипов с нормами 2 нм компания начнет в 2023 году, что произойдет через год после начала массового выпуска 3-нм полупроводников. К массовому производству 2-нм решений TSMC приступит в 2024 году. На этом рубеже она рассчитывает по совершенству технологий выпуска чипов наконец-то обойти конкурента - компанию Samsung.
Что касается Samsung, то она сосредоточилась на разработке и внедрению 3-нм техпроцесса. Существует высокая вероятность того, что южнокорейская компания на первых порах пропустит производство с нормами 4 нм, которые значились в ее ранних планах. Одно время Samsung даже планировала начать выпуск GAA-транзисторов в рамках 4-нм техпроцесса, но позже перенесла этот пункт на этап внедрения 3-нм технологических норм.
Тем не менее, 3-нм техпроцесс Samsung с GAA-транзисторами окажется существенно прогрессивнее применительно к характеристикам чипов, чем 3-нм техпроцесс TSMC с FinFET-транзисторами. Но аналитики считают, что в долгосрочной перспективе это не поможет Samsung в конкурентной борьбе с TSMC. К примеру, Samsung первой начла использовать в производстве чипов сканеры EUV, но это не помогло ей приблизиться к показателям TSMC. С 3-нм техпроцессом южнокорейский производитель вновь может на время вырваться вперед, но TSMC планирует обойти его уже на ближайшем повороте? на этапе перехода на 2-нм нормы производства.
