Samsung приступила к массовой печати 16-Гбит чипов LPDDR5 на крупнейшей в мире полупроводниковой линии
Samsung объявила о начале массового производства на своей второй производственной линии в корейском Пхентхэке первых в отрасли мобильных 16-Гбит чипов DRAM LPDDR5. Для печати используется техпроцесс Samsung 10-нм класса (1z) третьего поколения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Компания обещает высочайшую производительность и самую большую емкость на мобильном рынке - это проложит путь для 5G, искуственного интеллекта и других возможностей в смартфонах следующего поколения.
Компания отметила, что ее вторая производственная линия в Пхентхэке занимает площадь в 128 900 квадратных метров - это примерно 16 футбольных полей и на сегодняшний день рекорд в полупроводниковой индустрии. Эта фабрика будет служить ключевым производственным центром для передовых полупроводниковых технологий в отрасли, предлагая лучшие технологии DRAM и V-NAND.
Новые чипы 16-Гбит памяти LPDDR5 Samsung являются первыми в мире кристаллами DRAM, производимыми серийно с применением литографии в крайнем ультрафиолетовом диапазоне. При скорости в 6400 Мбит/с эти чипы примерно на 16 % быстрее 12-Гбит LPDDR5 (5500 Мбит/с), которые используются в большинстве современных флагманских смартфонов. В 16-Гбайт упаковке такая память LPDDR5 может передавать около 51,2 Гбайт данных (10 фильмов в формате Full HD размером 5 Гбайт) за одну секунду.
Благодаря использованию техпроцесса 1z, 16-Гбайт упаковка LPDDR5 стала на 30 % тоньше, чем у предшественника, что позволяет уместить больше функциональных блоков в тонкие смартфоны 5G и складные устройства будущего. Модули LPDDR5 объемом 16 Гбайт используют всего 8 чипов, тогда как предшественнику на базе техпроцесса 1y требовалось 12 чипов (восемь чипов по 12 Гбит и четыре чипа по 8 Гбит) для обеспечения той же емкости.
Samsung планирует и дальше в 2021 году укреплять присутствие на рынке флагманских смартфонов, а также расширять свою долю рынка в области LPDDR5 для автомобильной электроники, предложив решения с расширенным температурным диапазоном и соответствием строгим стандартам безопасности и надежности в экстремальных условиях.
