Kioxia и Western Digital анонсировали флеш-память 6-го поколения
Компании Kioxia и Western Digital объявили о разработке 162-слойной технологии флеш-памяти шестого поколения.
"Благодаря нашему партнерству, которое длится уже два десятилетия, Kioxia и Western Digital успешно создают новые возможности в производстве, а также исследованиях и разработке новых технологий", - заявил Масаки Момодоми, технический директор Kioxia. "Совместно мы производим более 30% флэш-памяти в мире в битовом измерении и неуклонно выполняем нашу миссию по обеспечению клиентов производительными и надежными продуктами по привлекательной цене. Наши решения ориентированы на работу с данными от персональной электроники до центров обработки данных, также в нашем фокусе новые приложения, поддерживаемые сетями 5G, искусственным интеллектом и автономными системами".
"По мере того, как закон Мура достигает своих физических пределов в полупроводниковой промышленности, есть один сегмент, где этот закон все еще сохраняет свою актуальность - это флеш", - отметил д-р Сива Сиварам, президент по технологиям и стратегии Western Digital. "Для продолжения развития этих достижений и удовлетворения растущего спроса на мировом рынке на системы хранения данных становится критически важным новый подход к масштабированию флэш-памяти. В этом новом поколении продуктов Kioxia и Western Digital внедряют инновации в вертикальном, а также горизонтальном масштабировании для достижения большей емкости при меньших размерах. Данное нововведение в конечном итоге обеспечивает производительность, надежность и стоимость, которые необходимы клиентам".
Подчеркивается, что представленная трехмерная флэш-память шестого поколения отличается передовой архитектурой и обеспечивает до 10% выше плотность массива ячеек в поперечном направлении по сравнению с технологией пятого поколения. Этот шаг в области горизонтального масштабирования в сочетании с 162-слойной технологией позволяет уменьшить размер кристалла на 40% по сравнению с процессом использующим 112 слоя, которые сейчас находится в массовом производстве.
Команды Kioxia и Western Digital также применили размещение CMOS под массивом, что также снижает задержки в чтении на 10% по сравнению с предыдущим поколением чипов. Производительность ввода-вывода улучшена на 66%.
Ко всему прочему, новая технология флэш-памяти 3D от Kioxia и Western Digital снижает стоимость одного бита, а также увеличивает количество производимых бит на пластину на 70% по сравнению с предыдущим поколением.
Компании подробно представили новую технологию во время совместной презентации на выставке ISSCC 2021.
