Intel раскрыла план, который поможет вернуть лидерство
Ранее в этом году технический гигант в лице Intel официально объявил о том, что он планирует вернуть себе лидерство на поприще производства процессоров. Более того, компания собирается добиться "безоговорочного лидерства" в мире ПК. И да, это весьма впечатляющие и амбициозные, но все же не факт что реализуемые цели. И хоть многое указывало то, что у компании, якобы, нет никакого понимания того, как же именно достичь своих целей, последние новости явно дают понять, что это не так. И да, теперь мы наконец знаем план Intel.
Генеральный директор Intel Пэт Гелсинджер совместно со старшим вице-президентом по развитию технологий, доктором Энном Келлехером изложили план компании на будущее. И для начала Intel собирается переименовать свои производственные узлы. То, что раньше называлось 10-нанометровым "Enhanced Superfin", теперь будет называться просто "7". И как продолжает утверждать компания, хоть на первый взгляд это может показаться немного двуличным и не честным - вместо того, чтобы разрабатывать новую технологию, компания просто изменит название, привлекая тем самым к себе больше клиентов, вводя и в заблуждение - однако, как утверждает руководство Intel, нанометровые измерения технологических узлов больше не соответствуют чему-либо физическому, а с точки зрения плотности нынешние 10-нанометровые чипы Intel способны на равных конкурировать с TSMC, и даже 7-нанометровыми чипами от Samsung.
Также стало известно о том, что выходя за рамки 7-нм, Intel нацелена на агрессивный график выпуска, при этом основные обновления продуктов будут происходить ежегодно. Более того, уже этой осенью мы с вами сможем ожидать того, что чипы компании Alder Lake будут сочетать в себе высокопроизводительные и маломощные ядра. Следом же за линейкой Alder Lake последуют 4-нанометровые чипы Meteor Lake, которые будут включать в себя технологию трехмерных стековых чипов Intel под названием Foveros.
Помимо этого важно отметить и то, что, компания Intel разработала совершенно новую технологию для 3-нанометрового узла на основе фотолитографирования в глубоком ультрафиолете, которая в свою очередь будет использовать высокоэнергетический производственный процесс для того, чтобы производить оптимизацию процесса создания микросхем. И опять же, хотя измерения узлов больше не соответствуют физическим структурам, атом кремния имеет ширину около 2 ангстрем. Так что несмотря ни на что в будущем нас будут ожидать действительно невероятно крошечные транзисторы.
