Гигабитный чип спинтронной памяти ориентирован на работу в открытом космосе
Производитель электроники, Micross, объявил о выпуске чипа магниторезистивной памяти (MRAM) емкостью 1 Гб. Это компактное (18×20 мм) устройство, предлагаемое в герметичных корпусах LGA и BGA, является самым высокоемким чипом MRAM на сегодняшний день, а также самым убедительным аргументом того, что спинтроника, оперирующая данными в виде магнитных моментов, а не электрических зарядов, является лучшим выбором для высоконадежных вычислений в суровых условиях промышленного производства, открытого космоса или поля боя.
Хотя новый продукт - Hermetic Space Grade 1Gb Spin Transfer Torque MRAM - оснащен интерфейсом, совместимым со SRAM, он не предназначен для замены динамической или статической RAM. Вместо этого, Micross позиционирует его как альтернативу флеш-хранилищам, но с повышенной устойчивостью к "суровым" условиям эксплуатации.
Avalanche, поставщик памяти MRAM, установленной в микросхеме Micross, объявила о запуске технологии магниторезистивной RAM с передачей спинового момента (STT-MRAM) еще в 2015 году, когда использовала техпроцесс 55 нм.
"Новое поколение технологии MRAM с перпендикулярной передачей спинового момента (Perpendicular Spin Transfer Torque MRAM) от Avalanche с детализацией 22 нм позволило компании Micross добиться большей экономии размера, веса и мощности, добавив в наш портфель высоконадежных модулей памяти устройство Hermetic MRAM емкостью 1 Гб", - отметил в опубликованном 14 сентября заявлении Джереми Адамс (Jeremy Adams), вице-президент по продуктам и услугам Micross.
Выигрыш в емкости составил более 64 крат по сравнению с первым чипом Micross MRAM с номиналом 16 Мб. При этом битовая плотность записи выросла со 163,84 Кб до 2,844 Мб на квадратный миллиметр.
Гигабитный чип доступен в стандартном, радиационно-стойком (RAD-Tolerant) и радиационно-защищенном (RAD-HARD) вариантах. Производитель гарантирует более 10 лет сохранности данных в диапазоне температур от - 40 до + 125 °C и стабильное время доступа, 45 нс, во всем диапазоне рабочих температур.
Самым заметным соперником Micross на зарождающемся рынке MRAM является Samsung, которая в 2019 году начала поставки встраиваемой MRAM (eMRAM), изготовляемой по технологии "кремний на изоляторе" (SOI) с детализацией 28 нм. Годом раньше карты MRAM для серверов предложила фирма Everspin.
