Ученые: Алмазный слой может предотвратить перегрев электронных устройств
Мощные электронные компоненты очень часто перегреваются. Особенно, если они объединены в единую микросхему, тогда нагрев может стать реальной проблемой. Следовательно, управление температурным режимом является жизненно важным фактором в создании чипа. Особенно это важно для устройств, изготовленных из нитрида галлия.
«Нитрид галлия способен работать с высоким напряжением, поэтом он позволяет создать больший объем допустимой мощности и пропускной способности, - рассказал Юн Хан из Института микроэлектроники. - Но, например, в транзисторе чип нитрида галлия перегревается в крошечных областях, образуя несколько горячих точек. Это еще больше усугубляет проблему нагрева».
Юн Хан и его коллеги считают, что алмазный слой может распределять тепло равномерно по всей схеме - это значительно улучшит тепловые характеристики устройств из нитрида галлия. В качестве эксперимента исследователи создали тепловой тестовый чип, который содержал восемь крошечных точек, размер каждой был от 0,45 до 0,3 миллиметров, чтобы генерировать тепло, созданное в реальных устройствах. Они связали этот чип со слоем высококачественного алмазного покрытия, изготовленного с использованием методики, называемой химическим осаждением из паровой фазы. Алмаз-теплорассеиватель и чип были связаны с помощью процесса склеивания термического сжатия. Хан и его команда пытались воздействовать на схему электрическим током, мощностью 10-120 Вт. Однако алмазный слой смог «рассеять» температуру, из-за чего чип не нагревался сильнее 160 градусов по Цельсия.
Специалисты считают, что они смогли показать очень хороший результат. В будущем ученые надеются добиться еще лучших показателей за счет увеличения толщины алмазного слоя.
