Ученые из Сибири создают флеш-память на основе мультиграфена

Ученые Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова хотят создать новый переносной накопитель информации. Флеш-память будет разработана на основе мультиграфена, который сможет ускорить и продлить работу устройства.

Технология работы флеш-памяти будет основываться на впрыскивании электрозаряда в центр памяти, который будет создан на основе мультиграфена. Этот материал обладает отменными качествами - он может выпускать много электродов, около 5 электровольт.

Ученые уверены, что на основе новых технологий у них получится создать флешку в 3-5 раз быстрее текущих аналогов. Также новые накопители смогут служить дольше обычного.