Ученые MIT представили более эффективный метод самосборки микрочипов
Сотрудники Массачусетского технологического института разработали новую технологию самосборки чипов - DSA. Согласно опубликованному отчету, решение представляет собой более выгодное экономическое решение в сравнении с ультрафиолетовой литографией (EUV), которая будет использоваться при изготовлении 7-нм и 5-нм чипов. По словам специалистов MIT, их разработка способна продлить действие закона Мура, а вместе с тем упростить и удешевить процесс производства.
Ультрафиолетовая литография привлекла внимание разработчиков благодаря длине волны в 13,5 нм, что особенно актуально в контексте производства 7-нм и 5-нм микросхем. Стоит отметить, что некоторые изготовители, вроде компании TSMC, выражали обеспокоенность относительно стоимости чипов с применением EUV. Тем временем компания Samsung планирует наладить массовое производство 7-нм чипов уже к 2020 году.
DSA использует стандартные технологии литографии для нанесения рисунка на поверхность микросхемы. После этого может быть нанесен блок-сополимерный материл, состоящий их двух полимеров, которые, в свою очередь, соединяются в цепь. На третьем, заключительном этапе, на блок-сополимер наносится защитный слой посредством химического парофазного осаждения (CVD). Литографический рисунок основы направляет формирование слоев, однако вместо одной линии на подложке появляются четыре или больше линий пропорционально уменьшенной ширины.
Подробнее о технологии DSA можно узнать на официальном сайте Массачусетского технологического института.
