Samsung раскрывает детали перехода на 4-нм техпроцесс
В прошлом году Samsung освоила 10-нм техпроцесс и начала массовое производство чипов с использованием этой технологии. Останавливаться на достигнутом южнокорейский гигант не намерен. В рамках мероприятия Samsung Foundry компания объявила о планах по запуску в производство более быстрых и энергоэффективных чипов, выполненных вплоть до 4-нм техпроцесса.
В ближайшем будущем Samsung планирует свернуть выпуск переосмысленных 14-нм и 10-нм LPU-продуктов, которые были представлены в конце прошлого 2016 года и должны появиться на рынке в этом году. Эти изменения предназначены для сохранения низкой стоимости для партнеров и повышения энергоэффективности. Затем специалисты будут пристально следить за 8-нм LPP-технологией от Samsung, которая станет последней на основе текущей архитектуры FinFET. Этот шаг обеспечит дополнительные преимущества в плане энергопотребления и производительности по сравнению с нынешним 10-нм техпроцессом Samsung, используемым для современных высокопроизводительных мобильных процессоров.
План Samsung по сокращению своих чипов становится еще более агрессивным после 8-нм техпроцесса. Компания планирует запустить производство своего первого 7-нм LPP EUV-процесса в 2018 году, что гораздо быстрее, чем многие ожидали. Фабрики уже некоторое время сталкиваются с ограничениями литографии, не относящейся к EUV, поэтому фотолитография в глубоком ультрафиолете рассматривается как решение для фактического достижения прироста производительности при снижении техпроцесса в дальнейшем.
После того, как Samsung освоит фотолитографии в глубоком ультрафиолете для 7-нм техпроцесса, компания планирует быстро перейти на 6 нм, 5 нм и 4 нм. Ожидается, что 6- и 5-нм техпроцессы появятся всего спустя год после 7-нм. 6-нм LPP-процесс будет включать в себя решения собственной разработки Smart Scaling для повышения эффективности, а 5-нм LPP-процесс станет самым маленьким FinFET-решением компании, которое также будет включать в себя некоторые инновационные технологии для большей экономии электроэнергии.
Если компания будет следовать своему плану, то уже к 2020 году она освоит производство чипов по 4-нм техпроцессу. Помимо сокращения транзисторов, переход на 4-нм также включает переход на архитектуру следующего поколения, получившую название Multi Bridge Channel FET. MBCFET - это разработанная Samsung технология Gate All Around FET, являющаяся преемницей текущей архитектуры FinFET.
Также на Samsung Foundry было объявлено о новых процессах Fully of Silicone on Insulator для устройств Интернета вещей. Эти продукты предназначены для потребителей, которые ищут более бюджетные чипы, или тех, кто не нуждается в ультрасовременных решениях. Samsung планирует расширить свою нынешнюю 28-нм технологию сначала путем включения радиочастот, а затем интеграции eMRAM, что, по ее мнению, подходит для Интернета вещей. За этим последует меньший 18-нм техпроцесс, обеспечивающий повышенные производительность, мощность и эффективность.
Подводя итог, в ближайшие годы нас ждут более мощные и энергоэффективные решения от Samsung. Очевидно, что конкуренты в лице TSMC, Intel и Qualcomm также не будут сидеть на месте.
