MRAM увеличивает шансы стать следующей массовой энергонезависимой памятью
Мало кто обратил внимание на новость прошедшего лета о поставках нового производственного оборудования компании Applied Materials. А новость эта знаковая. В ней сообщалось, что Applied Materials приступила к коммерческим поставкам установок по производству полупроводников с массивами памяти MRAM, ReRAM и PCRAM (иногда пишут PCM) на 300-мм кремниевых пластинах. Это первое в мире оборудование для производства перспективных видов памяти на пластинах наибольшего доступного в отрасли диаметра. Но какой из новых видов памяти станет наиболее массовым?
Память MRAM и PCRAM уже давно находится в производстве, но его объемы сильно ограничены. Обе технологии не могут пока предложить плотность записи, сравнимую с NAND, поэтому они, как правило, идут на замену памяти типа NOR. Память NOR быстрее NAND, но также проигрывает ей в плотности записи. Зато NOR, MRAM и PCRAM востребованы для выпуска промышленного оборудования, в транспорте и авиации/космосе. Осталось спуститься на землю и выйти в люди. Новое оборудование Applied Materials будет способствовать такому развитию событий и, кстати, не только оно.
Как сообщается, другой производитель промышленного оборудования для выпуска полупроводников также решил делать ставку на MRAM. Компания Hprobe из французского Гренобля разработала модуль с мощным перпендикулярно направленным магнитным полем для промышленного тестирования пластин с памятью MRAM. Модуль Perpendicular Magnetic Field Unit может генерировать магнитное поле силой до 2 тесла без криогенного и даже жидкостного охлаждения. Сильное магнитное поле возбуждает тоннельные магнитные переходы в ячейках MRAM STT. Другое оборудование считывает возбуждение и строит кривые петель гистерезиса по каждому магнитному переходу, что позволяет тестировать блоки памяти на исправность.
Как утверждают разработчики, новый модуль значительно ускоряет процесс тестирования 300-мм пластин с памятью MRAM. Компания Hprobe уже приступила к поставкам оборудования клиентам и уверяет, что это поможет перевести выпуск магниторезистивной памяти на техпроцессы с нормами менее 20 нм. Сегодня, напомним, память MRAM выпускается с нормами 28 нм. Определенно, инициатива Hprobe сделает фундамент под MRAM еще прочнее.
