Samsung начала выпуск ультрабыстрой оперативной памяти
Корпорация Samsung Electronics приступила к серийному производству новых чипов оперативной памяти (DRAM), предназначенных для высокопроизводительных компьютеров. Об этом сообщает корейское новостное агентство Yonhap со ссылкой на заявление производителя.
Речь идет о четырехслойной DRAM-памяти HBM (High Bandwidth Memory) второго поколения. Samsung наладила массовый выпуск таких микросхем емкостью 4 Гбайт. Они обладают скоростью обмена данными с компьютерными системами в 256 Гбайт/с, что в семь раз быстрее по сравнению с 4-гигабитными чипами GDDR5.
Использование двух или четырех новых чипов оперативной памяти обеспечивает скорость обмена на уровне 512 Гбайт/с и 1 Тбайт/с соответственно, что позволит использовать решения HBM2 в суперкомпьютерах и вычислительных средах, обрабатывающих большие данные (Big Data).
Поскольку скорость обмена в пересчете на контакт HBM2 меньше - 2 Гбит/с, энергоэффективность новых микросхем Samsung в терминах отношения пропускной способности на ватт значительно выше.
В первой половине 2016 года Samsung планирует приступить к массовому производству чипов HBM2 емкостью 8 Гбайт.
