SK Hynix начала массовое производство памяти HBM2E

Компания SK Hynix официально объявила о старте выпуска чипов оперативной памяти с интерфейсом HBM2E (High Bandwith Memory 2 ).

Как отмечается максимальная пропускная способность новых чипов DRAM составляет 460,8GB/s, что выше имеющихся аналогов на рынке.Что достигается при использовании шины в 1024 разрядов.

Благодаря использованию технологии вертикального стекирования TSV (Through Silicon Via) удалось объединить восемь чипов емкостью 16 Гб, что более чем в два раза чем в решениях предыдущего поколения HBM2.

При сравнении с чипами предыдущего поколения, как сообщается, достигнуто повышение плотности почти на 30% выше, при уменьшении энергопотребления в половину.

По заявлению компании новые продукты нацелены на использование в системах искусственного интеллекта, включая ускорители Deep Learning, а также в системах высокопроизводительных вычислений (HPC). Также, как ожидается, чипы будут востребованы при разработке экзаскалярных суперкомпьютеров нового поколения, кеогда вычисления производятся со скоростью в одну квантильонную секунды.