SK Hynix запустит массовое производство памяти DDR5 в ближайшие месяцы
Компания SK Hynix заявила, что в ближайшие месяцы начнет массовое производство оперативной памяти стандарта DDR5. Первые продукты на ее основе поступят в продажу одновременно с запуском новых процессоров Intel Alder Lake, релиз которых ожидается к концу текущего года. Производитель также добавил, что начнет производство 176-слойных чипов флеш-памяти 3D NAND во второй половине этого года.
Как и многие другие производители чипов памяти DRAM, SK Hynix продемонстрировала первые микросхемы DDR5 и модули на их основе еще в 2019 году. К настоящему моменту компания рассылает образцы чипов заинтересованным партнерам для проверки совместимости с их платформами и будущими CPU. Начало массового производства модулей оперативной памяти DDR5 ожидается во второй половине года. В первой половине 2022-го микросхемы DDR5 начнут использоваться вместе с серверными процессорами Intel Sapphire Rapids.
"Компания начнет поставки чипов DRAM 10-нм класса (1anm), производимых с помощью EUV-литографии во втором полугодии 2021-го", - говорится в заявлении SK Hynix.
Производитель добавил, что в этом месяце начал массовое производство памяти стандарта LPDDR4-4266 с использованием техпроцесса 10-нм класса и литографии со сверхжестким ультрафиолетовым излучением (EUV). Компания сообщила, что смена поколения техпроцесса и уход от 1znm (тоже 10-нм класс) позволил ей повысить объем выпускаемых кремниевых пластин на 25 %. При этом новые чипы LPDDR4 до 20 % более энергоэффективны по сравнению с микросхемами прошлого поколения.
С начала будущего года SK Hynix планирует перейти на использование техпроцесса 1anm при производстве чипов памяти DDR5, заменив первое поколение продуктов DDR5, поскольку EUV-литография обеспечивает сложным микросхемам DDR5 преимущества как с точки зрения энергопотребления, так и производительности и, что более важно, с точки зрения размера кристаллов.
Помимо чипов памяти DDR5 производитель намерен в ближайшие месяцы выйти на массовое производство 176-слойных чипов флеш-памяти 4D NAND (3D NAND с периферийными цепями под ячейками памяти). Компания уже начала производство и рассылку тестовых образцов 512 Гбит 176-слойных чипов производителям SSD-контроллеров. Первые потребительские продукты на базе такой памяти должны появиться в следующем году.
