Американские ученые освоили 1-нанометровый техпроцесс
На протяжении длительного времени все полупроводниковые производители считали, что при нынешних технологиях создать затвор полупроводника длиной менее 5 нанометров невозможно, поэтому возможность их разработки даже не рассматривалась. Однако в последние годы данная теория пошатнулась. Недавно стало известно, что группа ученых из университета Беркли и вовсе сумела создать транзистор с длиной затвора в 1 нм.
Создание рабочего полупроводника с длиной затвора 1 нм стало чрезвычайно важным достижением, так как основная часть современных процессоров из кремния имеют затворы с длиной не менее 20 нм. Для понимания, новейшие чипы Kaby Lake от Intel имеют затвор размером в 14 нм, а к производству полупроводников с длиной затвора в 10 нм Intel собирается приступить только к концу 2017 года.
"Создав данный транзистор, мы смогли доказать, что затвор с длиной в 5 нм и менее является вполне достижимой целью. Закон Мура продолжит действовать и дальше, но при условии, что мы будем использовать соответствующие материалы", - рассказал представитель группы ученых.
