Western Digital представила память для смартфонов с 5G
Western Digital представила встроенную память (UFS), которая позволит улучшить работу смартфонов с поддержкой сетей 5G. Носитель iNAND использует технологии 96-слойного 3D NAND и интерфейс UFS.
WD iNAND MC EU521 позволяет разработчикам мобильных устройств в использовать преимущества пропускной способности интерфейса UFS 3.1 (линии Gear 4/2), а также кэширования NAND SLC (одноуровневая ячейка).
Встроенный флэш-накопитель предлагает скорость записи до 800 МБ/с, что улучшает загрузку 4K и 8K, игр, а также передачу больших файлов из облака. INAND EU521 будет доступен в марте емкостью 128 и 256 ГБ.
