Представлена первая в мире оперативная память DDR5. Емкость модулей может достигать 256 Гбайт
Компания SK hynix сегодня, 6 октября 2020 года, представила первую в мире оперативную память следующего поколения - DDR5 DRAM, или Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory.
Анонсированные изделия оптимизированы для приложений искусственного интеллекта, машинного обучения и больших данных. По сравнению с памятью предыдущего поколения - DDR4 - улучшены все ключевые характеристики.
Новая память SK hynix обеспечивает скорость передачи данных в 4800-5600 Мбит/с на контакт, что в 1,8 раза превышает базовые показатели памяти DDR4. При этом напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность.
Реализована поддержка коррекции ошибок ECC - Error Correcting Code. Утверждается, что по сравнению с памятью предыдущего поколения надежность работы приложений возрастет в 20 раз.
Наконец, говорится, что емкость модулей оперативной памяти SK hynix DDR5 DRAM может достигать 256 Гбайт при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).
Поначалу DDR5 DRAM будет проникать в серверный сегмент. SK hynix отмечает, что память нового поколения позволит существенно сократить энергопотребление и стоимость владения дата-центров при одновременном увеличении надежности и производительности.
