Samsung планирует построить в США предприятие по выпуску 3-нм чипов
Тайваньская компания TSMC связала себя обязательствами по строительству предприятия в штате Аризона, которое в 2024 году должно начать выдавать 5-нм продукцию для местных заказчиков. На строительство планируется потратить $12 млрд. Конкурирующая Samsung не собирается уступать TSMC, а потому рассматривает возможность строительства предприятия в Техасе, которое будет выпускать 3-нм изделия.
Об этом со ссылкой на информированные источники сообщил ресурс Bloomberg. По их данным, на строительство нового предприятия в Техасе Samsung Electronics готова потратить более $10 млрд. Заявка на приобретение соседнего с уже имеющимся корпусом участка земли была подана еще в октябре, из описания следует, что здесь должны появиться новые производственные объекты.
Строительство предприятия может начаться в текущем году, оборудование завезут в следующем, а начать работу оно должно в 2023 году, если все пойдет по плану. Это будет первое предприятие Samsung за пределами Южной Кореи, на котором будет использоваться литография со сверхжестким ультрафиолетовым излучением (EUV). На территории Южной Кореи у Samsung уже есть два соответствующих предприятия. Применение данного класса литографии позволит Samsung изначально предложить клиентам выпуск 3-нм продукции, обойдя TSMC как по срокам, так и в литографии.
Наличие передового предприятия на территории США позволит Samsung укрепить партнерские отношения с американскими разработчиками, внимание которых она сейчас пытается привлечь, предлагая NVIDIA услуги по выпуску 8-нм графических процессоров и налаживая выпуск 5-нм продукции для Qualcomm. Представители Samsung поспешили заявить, что никаких решений на этот счет еще не принято.
