Новости и события » Общество » СМИ: разработана ультрабыстрая и холодная замена флеш-памяти

СМИ: разработана ультрабыстрая и холодная замена флеш-памяти

СМИ: разработана ультрабыстрая и холодная замена флеш-памяти

МОСКВА, 19 янв - РИА Новости. Нидерландские и польские физики создали на основе диэлектрического кобальтзамещенного граната магнитное устройство хранения памяти, пишет журнал Nature.

Основным элементом разработки стала пленка, изготовленная из упомянутого выше минерала. Ученые, меняя линейную поляризацию излучения, добились варьирования намагниченности пленки, что дало возможность сохранить на ней данные - магнитные биты 0 и 1.

Скорость записи информации составила менее 20 пикосекунд на одно событие.

Авторы разработки отмечают, что предложенная ими конструкция выделяет в окружающее пространство существенно меньше тепла, чем флеш-память и жесткие магнитные диски.

Исследователи уверены, что их разработка будет полезна при конструировании устройств нового поколения для хранения данных.


Представлен базовый iPhone 17 со 120 Гц-дисплеем

Представлен базовый iPhone 17 со 120 Гц-дисплеем

Apple представила iPhone 17 - базовую модель в новой линейке. В этот раз смартфон остался без старшего брата в виде Plus-версии - его заменил новенький iPhone Air. Главным и самым ожидаемым изменением стала поддержка ProMotion - теперь базовая модель...

сегодня 00:05

Свежие новости Украины на сегодня и последние события в мире экономики и политики, культуры и спорта, технологий, здоровья, происшествий, авто и мото

Вверх