Samsung запустила производство микросхем флеш-памяти eUFS объемом 1 ТБ

30 января 2019 года компания Samsung объявила о старте массового производства микросхем флеш-памяти объемом 1 ТБ.

Речь идет о памяти eUFS 2.1, которая используется в продвинутых смартфонах.

С учетом продвинутых возможностей камер современных смартфонов, постоянным ростом размера различных приложений с каждым годом увеличиваются потребности в объеме встроенного накопителя мобильного устройства.

Ожидается, что в 2019 году появится немало топовых смартфонов с модификациями памяти, включающими вариант на 1 ТБ или даже больше.

Новые микросхемы 1TB eUFS имеют такой же физический размер 11,5&215;13 мм, как у предшественников 512GB eUFS 2.1.

Указывается, что пользователи с таким накопителем смогут хранить до 260 видеороликов 10-минутных 4K-видеороликов. Для сравнения, на довольно типичный накопитель объемом 64 ГБ можно записать примерно 13 таких же видеороликов.

Вместе с увеличением объема новые микросхемы обеспечивают и возросшее быстродействие. Скорость чтения может достигать 1 ГБ/с, а записи - 260 МБ/с.

Для информации Samsung привела таблицу, где сравниваются микросхемы памяти мобильных устройств разных поколений, начиная с eMMC 4.5 и заканчивая новейшей eUFS 2.1 объемом 1 ТБ.

Memory	Sequential Read Speed	Sequential Write Speed	Random Read Speed	Random Write Speed
Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019)	1000 MB/s	260 MB/s	58,000 IOPS	50,000 IOPS
Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017)	860 MB/s	255 MB/s	42,000 IOPS	40,000 IOPS
Samsung eUFS 2.1 for automotive (Sept. 2017)	850 MB/s	150 MB/s	45,000 IOPS	32,000 IOPS
Samsung 256GB UFS Card (July 2016)	530 MB/s	170 MB/s	40,000 IOPS	35,000 IOPS
Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016)	850 MB/s	260 MB/s	45,000 IOPS	40,000 IOPS
Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015)	350 MB/s	150 MB/s	19,000 IOPS	14,000 IOPS
eMMC 5.1	250 MB/s	125 MB/s	11,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 5.0	250 MB/s	90 MB/s	7,000 IOPS	13,000 IOPS
eMMC 4.5	140 MB/s	50 MB/s	7,000 IOPS	2,000 IOPS

Samsung